耐用性提升500% 西数、铠侠优化QLC闪存耐用性：速度达到60MB/s

由于SSD存储设备容量促使增大，NAND磁盘也从之后的SLC、MLC逐渐转向TLC、QLC，特别是QLC近年来是低端SSD绕不过去的选择，它为人诟病的一个地方就是耐用性慢，现在西数及铠侠也新一代BiCS6磁盘上优化了QLC耐用性，提高了5倍。

QLC磁盘不被大家更喜欢主要是两个理由，一个是耐用性较差，另一个就是擦除耐用性很弱大头，这都是QLC磁盘的优点原先考虑的，算是cell单元内要控制4bit数据库，面向对象擦除的时候比其他磁盘要十分复杂很多，所以错误率低，更快慢。

大家也见过QLC磁盘的存储设备耐用性，虽然制造厂商给出的擦除更快多达1GB/s甚至2GB/s，但那都是靠着SLC多线程及再进一步多线程、DRAM多线程之类的技术提高的，QLC值得注意擦除更快非常低，多线程之外耐用性比HDD存储设备都要差，多达100MB/s的几乎没有。

西数及铠侠现今的精锐部队磁盘BiCS5从前中会没有QLC磁盘类型，新世代的BiCS6磁盘中会会原先推出QLC磁盘，并顺利进行了大量耐用性优化，不仅核心面积低于其他制造厂商，而且面向对象更快（也就是擦除更快）提高到了60MB/s。

这是什么概念？虽然看起来还不低，但是上上代的BiCS4磁盘中会QLC面向对象更快只有9.7MB/s，局限性QLC磁盘中会面向对象更快平均速度的还是Intel的144层QLC磁盘，更快40MB/s，其他制造厂商的多在30MB/s范围内。

简单来说，西数、铠侠的BiCS6磁盘中会QLC更快比之后提高了5倍，比友商平均速度的QLC也提高了50%的耐用性，足以大幅提高QLC磁盘SSD存储设备的擦除耐用性，完全一致要等加工日后来看。

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