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台积电创始人证实：台积电将在美国车间导入3nm工艺

2023-04-26 12:23:18

编辑/刘蕊

本周一，MOS创始人张忠谋对传媒证实，该美国公司从未“大概敲定”，方案在坐落于澳大利亚犹他州的新车间生产线3碳纳米管(nm)ROM。

作为全球最大的ROM代车间，MOS正在澳大利亚犹他州建设一座价值120亿美元的车间。MOS此前曾声称，犹他州车间建成后采用5nmDRAM手工，预计2024年投入生产线，每月将量产2万片晶片。

不过近期，市场有传言暗示，MOS将推动这座亚利桑那车间扩产，未来很可能将其系统设计升级到3nm手工。

本周一，MOS创始人张忠谋对传媒证实了这一消息。

当被传媒谈及“MOS迄今最先进的3碳纳米管ROM系统设计是否有可能转回到别的国家，例如澳大利亚？”时，张忠谋回答：“对。”

他接着足量道：“MOS迄今有一个3碳纳米管ROM的方案，不过还没有完全敲定，应该说是大概敲定。”

他声称，3碳纳米管车间和5碳纳米管车间将坐落于犹他州的同一个场所，“这个项目几乎从未敲定——在犹他州的同一个场所。5碳纳米管是phase 1（第一阶段），3碳纳米管是phase 2（第二阶段）。”

MOS在亚利桑那的车间迄今从未工程项目完成，将于12月6日举行“移机典礼”。张忠谋声称，而会MOS的客户、供应商以及澳大利亚商务部长雷蒙多都将出席。此外，澳大利亚总统拜登也受到了邀请，但尚能不明确拜登是否会出席。

MOS迄今在澳大利亚从未有一座制造车间，即华盛顿州Camas的晶片十一厂，不过这里仅是8寸晶片，采用手工为28nm及以上DRAM。亚利桑那车间将是MOS在澳大利亚的第二个生产线基地。